Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > GA03JT12-247
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
797996Immagine GA03JT12-247.GeneSiC Semiconductor

GA03JT12-247

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    GA03JT12-247
  • Costruttore / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    GA03JT12-247.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    -
  • Vgs (Max)
    -
  • Tecnologia
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247AB
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    460 mOhm @ 3A
  • Dissipazione di potenza (max)
    15W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • Altri nomi
    1242-1164
    GA03JT12247
  • temperatura di esercizio
    175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo FET
    -
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    -
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1200V
  • Descrizione dettagliata
    1200V 3A (Tc) (95°C) 15W (Tc) Through Hole TO-247AB
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3A (Tc) (95°C)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26/01/2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13/01/2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31/12/2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23/12/2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12/12/2024

Il microchip annuncia 500 licenziamenti, con costi di ristr...

04/12/2024

Quanta: la domanda di intelligenza artificiale continua ad ...

03/12/2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02/12/2024

Samsung riduce in modo significativo l'utilizzo fotores...

02/12/2024

Vishay investirà £ 51 milioni nel wafer NWF acquisito Fab

29/11/2024

Minaccia tariffaria di Trump, Nvidia, fornitori di Intel RI...

28/11/2024

Intel riceverà $ 7,86 miliardi di sussidi ai sensi della U...

27/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "GA03JT12-247".
GA0402A100JXBAC31G

GA0402A100JXBAC31G

Descrizione: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
GA01PNS150-220

GA01PNS150-220

Descrizione: DIODE SILICON CARBIDE 15KV 1A

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
RFQ
GA0402A100GXAAC31G

GA0402A100GXAAC31G

Descrizione: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
GA0402A100GXXAC31G

GA0402A100GXXAC31G

Descrizione: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
GA0402A100JXAAP31G

GA0402A100JXAAP31G

Descrizione: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
GA0402A100JXXAC31G

GA0402A100JXXAC31G

Descrizione: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
GA03IDDJT30-FR4

GA03IDDJT30-FR4

Descrizione: BOARD GATE DRIVER

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
RFQ
GA0402A100FXBAP31G

GA0402A100FXBAP31G

Descrizione: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
GA0402A100KXAAC31G

GA0402A100KXAAC31G

Descrizione: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
GA0402A100JXXAP31G

GA0402A100JXXAP31G

Descrizione: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
GA0402A100FXAAP31G

GA0402A100FXAAP31G

Descrizione: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
GA0402A100FXXAP31G

GA0402A100FXXAP31G

Descrizione: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
GA0402A100JXBAP31G

GA0402A100JXBAP31G

Descrizione: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
GA01PNS80-220

GA01PNS80-220

Descrizione: DIODE SILICON CARBIDE 8KV

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
RFQ
GA0381M

GA0381M

Descrizione: SPEAKER 8OHM 200MW TOP PORT 79DB

Produttori: CUI, Inc.
In magazzino
RFQ
GA0402A100GXAAP31G

GA0402A100GXAAP31G

Descrizione: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
GA0402A100GXBAP31G

GA0402A100GXBAP31G

Descrizione: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
GA0402A100GXXAP31G

GA0402A100GXXAP31G

Descrizione: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
GA0402A100GXBAC31G

GA0402A100GXBAC31G

Descrizione: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
GA0402A100JXAAC31G

GA0402A100JXAAC31G

Descrizione: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciNotiziaMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.