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2108240Immagine GAP3SLT33-214.GeneSiC Semiconductor

GAP3SLT33-214

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    GAP3SLT33-214
  • Costruttore / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    GAP3SLT33-214.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    2.2V @ 300mA
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    3300V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-214AA
  • Velocità
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    0ns
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    DO-214AA, SMB
  • Altri nomi
    1242-1172-6
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    18 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Silicon Carbide Schottky
  • Descrizione dettagliata
    Diode Silicon Carbide Schottky 3300V 300mA (DC) Surface Mount DO-214AA
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    10µA @ 3300V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    300mA (DC)
  • Capacità a Vr, F
    42pF @ 1V, 1MHz
  • Numero di parte base
    GAP3SLT33

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