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5788013Immagine GAP3SLT33-220FP.GeneSiC Semiconductor

GAP3SLT33-220FP

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    GAP3SLT33-220FP
  • Costruttore / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    GAP3SLT33-220FP.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.7V @ 300mA
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    3300V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220FP
  • Velocità
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    0ns
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-2 Full Pack
  • Altri nomi
    1242-1183
    GAP3SLT33220FP
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    18 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Silicon Carbide Schottky
  • Descrizione dettagliata
    Diode Silicon Carbide Schottky 3300V 300mA Through Hole TO-220FP
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    5µA @ 3300V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    300mA
  • Capacità a Vr, F
    42pF @ 1V, 1MHz
  • Numero di parte base
    GAP3SLT33

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RFQ
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