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4789294Immagine MBRT200200R.GeneSiC Semiconductor

MBRT200200R

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MBRT200200R
  • Costruttore / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MBRT200200R.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - Picco inversa (max)
    Schottky
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    1 Pair Common Anode
  • Tensione - Ripartizione
    Three Tower
  • Velocità
    100A
  • Serie
    -
  • Stato RoHS
    Bulk
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Polarizzazione
    Three Tower
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    4 Weeks
  • codice articolo del costruttore
    MBRT200200R
  • Descrizione espansione
    Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 200V 100A Chassis Mount Three Tower
  • Configurazione diodo
    1mA @ 200V
  • Descrizione
    DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    920mV @ 100A
  • Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)
    200V
  • Capacità a Vr, F
    -55°C ~ 150°C

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