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4173663Immagine MBRT20030R.GeneSiC Semiconductor

MBRT20030R

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MBRT20030R
  • Costruttore / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE MODULE 30V 200A 3TOWER
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.MBRT20030R.pdf
    2.MBRT20030R.pdf
  • Tensione - Picco inversa (max)
    Schottky
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    1 Pair Common Anode
  • Tensione - Ripartizione
    Three Tower
  • Velocità
    200A (DC)
  • Serie
    -
  • Stato RoHS
    Bulk
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Polarizzazione
    Three Tower
  • Altri nomi
    MBRT20030RGN
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    4 Weeks
  • codice articolo del costruttore
    MBRT20030R
  • Descrizione espansione
    Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 30V 200A (DC) Chassis Mount Three Tower
  • Configurazione diodo
    1mA @ 20V
  • Descrizione
    DIODE MODULE 30V 200A 3TOWER
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    750mV @ 100A
  • Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)
    30V

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