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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > S12KR
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S12KR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    S12KR
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Tensione - Picco inversa (max)
    Standard, Reverse Polarity
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    12A
  • Tensione - Ripartizione
    DO-4
  • Serie
    -
  • Stato RoHS
    Bulk
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Resistenza a If, F
    -
  • Polarizzazione
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Altri nomi
    S12KRGN
  • Tipo montaggio
    Chassis, Stud Mount
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • codice articolo del costruttore
    S12KR
  • Descrizione espansione
    Diode Standard, Reverse Polarity 800V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Configurazione diodo
    10µA @ 50V
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    1.1V @ 12A
  • Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)
    800V
  • Capacità a Vr, F
    -65°C ~ 175°C
S12M

S12M

Descrizione: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
S12MCHM6G

S12MCHM6G

Descrizione: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
S12KC V7G

S12KC V7G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
S12JR

S12JR

Descrizione: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
S12KCHM6G

S12KCHM6G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
S12MCHR7G

S12MCHR7G

Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
S12MC R7G

S12MC R7G

Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
S12ME1FY

S12ME1FY

Descrizione: OPTOISOLATOR 4KV SCR 6DIP

Produttori: Sharp Microelectronics
In magazzino
S12MC V7G

S12MC V7G

Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
S12MR

S12MR

Descrizione: DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
S12KC R7G

S12KC R7G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
S12KC V6G

S12KC V6G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
S12JCHM6G

S12JCHM6G

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
S12KCHR7G

S12KCHR7G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
S12MD3

S12MD3

Descrizione: OPTOISOLATOR 1.5KV SCR 8DIP

Produttori: Sharp Microelectronics
In magazzino
S12MC M6G

S12MC M6G

Descrizione: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
S12K

S12K

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
S12MC V6G

S12MC V6G

Descrizione: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
S12KC M6G

S12KC M6G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
S12JCHR7G

S12JCHR7G

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino

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