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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > S12MCHM6G
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2130269Immagine S12MCHM6G.TSC (Taiwan Semiconductor)

S12MCHM6G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    S12MCHM6G
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 12A DO214AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Modello ECAD
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.1V @ 12A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-214AB (SMC)
  • Velocità
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    DO-214AB, SMC
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    40 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 12A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    1µA @ 1000V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    12A
  • Capacità a Vr, F
    78pF @ 4V, 1MHz
S12ZVM32EVB

S12ZVM32EVB

Descrizione: S12ZVM32 EVALUATION BOARD FOR BL

Produttori: NXP Semiconductors / Freescale
In magazzino
S12VR32EVB

S12VR32EVB

Descrizione: EVALUATION BOARD FOR S12VR32EVB

Produttori: NXP Semiconductors / Freescale
In magazzino
S12MC R7G

S12MC R7G

Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
S12MR

S12MR

Descrizione: DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
S12MC V6G

S12MC V6G

Descrizione: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
S12KCHR7G

S12KCHR7G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
S12MC V7G

S12MC V7G

Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
S12KC V7G

S12KC V7G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
S12M

S12M

Descrizione: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
S12KR

S12KR

Descrizione: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
S12MC M6G

S12MC M6G

Descrizione: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
S12QR

S12QR

Descrizione: DIODE GEN PURP REV 1.2KV 12A DO4

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
S12KCHM6G

S12KCHM6G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
S12VR64EVB

S12VR64EVB

Descrizione: BOARD EVAL S12VR64 MCU

Produttori: NXP Semiconductors / Freescale
In magazzino
S12MD3

S12MD3

Descrizione: OPTOISOLATOR 1.5KV SCR 8DIP

Produttori: Sharp Microelectronics
In magazzino
S12Q

S12Q

Descrizione: DIODE GEN PURP 1200V 12A DO4

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
S12KC V6G

S12KC V6G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
S12ME1FY

S12ME1FY

Descrizione: OPTOISOLATOR 4KV SCR 6DIP

Produttori: Sharp Microelectronics
In magazzino
S12VR64EVB3

S12VR64EVB3

Descrizione: S12VR64 EVAL BOARD

Produttori: NXP Semiconductors / Freescale
In magazzino
S12MCHR7G

S12MCHR7G

Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino

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