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2948593Immagine S12KCHR7G.TSC (Taiwan Semiconductor)

S12KCHR7G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    S12KCHR7G
  • Costruttore / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    S12KCHR7G.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.1V @ 12A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    800V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-214AB (SMC)
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    DO-214AB, SMC
  • Altri nomi
    S12KCHR7GTR
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    15 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 800V 12A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    1µA @ 800V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    12A
  • Capacità a Vr, F
    78pF @ 4V, 1MHz

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
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Descrizione: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

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Descrizione: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

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Produttori: GeneSiC Semiconductor
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S12KR

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Produttori: GeneSiC Semiconductor
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S12K

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
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