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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-moduli > IXDN75N120
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4868562Immagine IXDN75N120.IXYS Corporation

IXDN75N120

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IXDN75N120
  • Costruttore / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 1200V 150A SOT-227B
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IXDN75N120.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1200V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.7V @ 15V, 75A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-227B
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    660W
  • Contenitore / involucro
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Termistore NTC
    No
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    32 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
    5.5nF @ 25V
  • Ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    NPT
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Module NPT Single 1200V 150A 660W Chassis Mount SOT-227B
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    4mA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    150A
  • Configurazione
    Single

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