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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-singolo > IXDP20N60BD1
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127106Immagine IXDP20N60BD1.IXYS Corporation

IXDP20N60BD1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IXDP20N60BD1
  • Costruttore / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 600V 32A 140W TO220AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IXDP20N60BD1.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    600V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.8V @ 15V, 20A
  • Condizione di test
    300V, 20A, 22 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    -
  • di scambio energetico
    900µJ (on), 400µJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220AB
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    40ns
  • Potenza - Max
    140W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    32 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    NPT
  • carica gate
    70nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT NPT 600V 32A 140W Through Hole TO-220AB
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    40A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    32A

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Spedizione
Pagamento
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Descrizione: 14A 8SOIC EXP MTL NON INVERTING

Produttori: IXYS Integrated Circuits Division
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Descrizione: IC INVERTER INTERFACE 18-DIP

Produttori: IXYS Corporation
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