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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFP4N100P

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1643210

Immagine IXFP4N100P.

IXYS Corporation

IXFP4N100P

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Specifiche

Modello di prodotti

IXFP4N100P
Costruttore / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IXFP4N100P.pdf
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220AB
Serie

HiPerFET™, PolarP2™
Rds On (max) a Id, Vgs

3.3 Ohm @ 2A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

150W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

24 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1456pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

1000V
Descrizione dettagliata

N-Channel 1000V 4A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

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