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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTA08N100D2

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Immagine IXTA08N100D2.

IXYS Corporation

IXTA08N100D2

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Specifiche

Modello di prodotti

IXTA08N100D2
Costruttore / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IXTA08N100D2.pdf
Vgs (th) (max) a Id

-
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-263 (IXTA)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

21 Ohm @ 400mA, 0V
Dissipazione di potenza (max)

60W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

24 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

14.6nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

Depletion Mode
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

-
Tensione drain-source (Vdss)

1000V
Descrizione dettagliata

N-Channel 1000V 800mA (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

800mA (Tc)

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