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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXT-1-1N100S1
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IXT-1-1N100S1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IXT-1-1N100S1
  • Costruttore / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Vgs (th) (max) a Id
    -
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    -
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    -
  • Dissipazione di potenza (max)
    -
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    -
  • temperatura di esercizio
    -
  • Tipo montaggio
    -
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1000V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 1000V 1.5A (Tc)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1.5A (Tc)

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Pagamento
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In magazzino
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In magazzino
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In magazzino
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Descrizione: MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263

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Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263

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