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1634281Immagine DTB114EKT146.LAPIS Semiconductor

DTB114EKT146

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DTB114EKT146
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.DTB114EKT146.pdf
    2.DTB114EKT146.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Tipo transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SMT3
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Potenza - Max
    200mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    DTB114EKT146-ND
    DTB114EKT146TR
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    200MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SMT3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    56 @ 50mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    500mA
  • Numero di parte base
    DTB114

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Descrizione: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

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Descrizione: BATT CHRGR LEAD-ACID 12V 2.25A

Produttori: CUI, Inc.
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Descrizione: PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST

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Produttori: LAPIS Semiconductor
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