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6422075Immagine DTB114GCT116.LAPIS Semiconductor

DTB114GCT116

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DTB114GCT116
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.DTB114GCT116.pdf
    2.DTB114GCT116.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Tipo transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SST3
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10 kOhms
  • Potenza - Max
    200mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    DTB114GCMGT116
    DTB114GCT116TR
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    200MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    56 @ 50mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    500mA

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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: BATT CHRGR LEAD-ACID 12V 2.25A

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Descrizione: BATT CHRGR LEAD-ACID 12V 3A

Produttori: CUI, Inc.
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Descrizione: BATT CHRGR LEAD-ACID 12V 1.5A

Produttori: CUI, Inc.
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Descrizione: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST

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Descrizione: TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: -500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR (

Produttori: LAPIS Semiconductor
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