QH8KA2TCR

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Specifiche

Modello di prodotti

QH8KA2TCR
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

30V NCH+NCH POWER MOSFET
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.QH8KA2TCR.pdf
2.QH8KA2TCR.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore

TSMT8
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

73 mOhm @ 4.5A, 10V
Potenza - Max

2.4W
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-SMD, Flat Lead
Altri nomi

QH8KA2TCRTR
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

125pf @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET

-
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.5A 2.4W Surface Mount TSMT8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "QH8KA2TCR".

QH8KA4TCR

Descrizione: 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET

Produttori: LAPIS Semiconductor

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