QH8MA4TCR

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Specifiche

Modello di prodotti

QH8MA4TCR
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N/P-CH 30V TSMT8
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.QH8MA4TCR.pdf
2.QH8MA4TCR.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore

TSMT8
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

16 mOhm @ 9A, 10V
Potenza - Max

1.5W
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-SMD, Flat Lead
Altri nomi

QH8MA4TCRTR
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

15.5nC @ 10V
Tipo FET

N and P-Channel
Caratteristica FET

Standard
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array N and P-Channel 30V 9A, 8A 1.5W Surface Mount TSMT8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

9A, 8A

Notizie correlate
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "QH8MA4TCR".

IRF7756TR

Descrizione: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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