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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > R8002ANX
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3732988Immagine R8002ANX.LAPIS Semiconductor

R8002ANX

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    R8002ANX
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    R8002ANX.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220FM
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    4.3 Ohm @ 1A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    35W (Tc)
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3 Full Pack
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    17 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    210pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    12.7nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    800V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 800V 2A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2A (Tc)

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