Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > R8008ANX
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
1618587Immagine R8008ANX.LAPIS Semiconductor

R8008ANX

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
1+
$5.31
10+
$4.744
100+
$3.89
500+
$3.15
1000+
$2.657
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    R8008ANX
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    R8008ANX.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220FM
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.03 Ohm @ 4A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    50W (Tc)
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3 Full Pack
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    17 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1080pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    39nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    800V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 800V 8A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    8A (Ta)

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

La Corea del Sud prevede di emanare il Chip Act per contras...

13/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "R8008ANX".
RTR040N03TL

RTR040N03TL

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
NTHS5402T1

NTHS5402T1

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
R8010ANX

R8010ANX

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 10A TO220

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
NTD3808N-35G

NTD3808N-35G

Descrizione: MOSFET N-CH 16V 12A IPAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
NP60N055NUK-S18-AY

NP60N055NUK-S18-AY

Descrizione: MOSFET N-CH 55V 60A TO-220

Produttori: Renesas Electronics America
In magazzino
RFQ
NVMFS5830NLWFT1G

NVMFS5830NLWFT1G

Descrizione: MOSFET N-CH 40V 172A SO8FL

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
STU5N95K3

STU5N95K3

Descrizione: MOSFET N-CH 950V 4A IPAK

Produttori: STMicroelectronics
In magazzino
RFQ
FDA24N50

FDA24N50

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
SPA11N60C3XKSA1

SPA11N60C3XKSA1

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
SIA416DJ-T1-GE3

SIA416DJ-T1-GE3

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
R8005ANX

R8005ANX

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 5A TO220

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
NVTFS5116PLWFTWG

NVTFS5116PLWFTWG

Descrizione: MOSFET P-CH 60V 14A U8FL

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
R80M

R80M

Descrizione: R80M, ROPE ONLY 80M

Produttori: Omron Automation & Safety
In magazzino
RFQ
R80080008

R80080008

Descrizione: BRUSHLESS MOTOR

Produttori: Crouzet
In magazzino
RFQ
R8002ANX

R8002ANX

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
R80080009

R80080009

Descrizione: BRUSHLESS MOTOR

Produttori: Crouzet
In magazzino
RFQ
NDS351AN

NDS351AN

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
R80080006

R80080006

Descrizione: BRUSHLESS MOTOR

Produttori: Crouzet
In magazzino
RFQ
TK13A50DA(STA4,Q,M

TK13A50DA(STA4,Q,M

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220SIS

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RFQ
AUIRLS3034

AUIRLS3034

Descrizione: MOSFET N-CH 40V 343A D2PAK

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.