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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > RHP030N03T100
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2007085Immagine RHP030N03T100.LAPIS Semiconductor

RHP030N03T100

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RHP030N03T100
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 3A SOT-89
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.RHP030N03T100.pdf
    2.RHP030N03T100.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    MPT3
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    120 mOhm @ 3A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    500mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-243AA
  • Altri nomi
    RHP030N03T100TR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    160pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    6.5nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount MPT3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3A (Ta)

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