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1307159Immagine RN262GT2R.LAPIS Semiconductor

RN262GT2R

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RN262GT2R
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.RN262GT2R.pdf
    2.RN262GT2R.pdf
  • Tensione - Picco inversa (max)
    30V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    VMD2
  • Serie
    -
  • Resistenza a If, F
    1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz
  • Dissipazione di potenza (max)
    100mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    2-SMD, Flat Lead
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    PIN - Single
  • Descrizione dettagliata
    RF Diode PIN - Single 30V 100mA 100mW VMD2
  • Corrente - Max
    100mA
  • Capacità a Vr, F
    0.4pF @ 1V, 1MHz

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Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
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RN2707JE(TE85L,F)

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Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
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RN2606(TE85L,F)

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Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
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RN2601(TE85L,F)

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Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2604(TE85L,F)

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Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

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RN2702TE85LF

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Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

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RN2708JE(TE85L,F)

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Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

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Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

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RN2709JE(TE85L,F)

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Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

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