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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzato > RN2708JE(TE85L,F)
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5505227Immagine RN2708JE(TE85L,F).Toshiba Semiconductor and Storage

RN2708JE(TE85L,F)

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RN2708JE(TE85L,F)
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Tipo transistor
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    ESV
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    22 kOhms
  • Potenza - Max
    100mW
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    SOT-553
  • Altri nomi
    RN2708JE(TE85LF)CT
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    200MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA
RN2711(TE85L,F)

RN2711(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2709JE(TE85L,F)

RN2709JE(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN262GT2R

RN262GT2R

Descrizione: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RN2706JE(TE85L,F)

RN2706JE(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2707JE(TE85L,F)

RN2707JE(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2901FE(TE85L,F)

RN2901FE(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2711JE(TE85L,F)

RN2711JE(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2710JE(TE85L,F)

RN2710JE(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN262CST2R

RN262CST2R

Descrizione: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMN2

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RN2712JE(TE85L,F)

RN2712JE(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2901(T5L,F,T)

RN2901(T5L,F,T)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2701JE(TE85L,F)

RN2701JE(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2702TE85LF

RN2702TE85LF

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2704JE(TE85L,F)

RN2704JE(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2703JE(TE85L,F)

RN2703JE(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2610(TE85L,F)

RN2610(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2713JE(TE85L,F)

RN2713JE(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2705JE(TE85L,F)

RN2705JE(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2902,LF

RN2902,LF

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2902(T5L,F,T)

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Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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