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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > RQ5E070BNTCL
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3709021Immagine RQ5E070BNTCL.LAPIS Semiconductor

RQ5E070BNTCL

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RQ5E070BNTCL
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    NCH 30V 7A MIDDLE POWER MOSFET
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.RQ5E070BNTCL.pdf
    2.RQ5E070BNTCL.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TSMT3
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    16.1 mOhm @ 7A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-96
  • Altri nomi
    RQ5E070BNTCLTR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    950pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 7A (Tc) 1W (Tc) Surface Mount TSMT3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    7A (Tc)

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