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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > RQ5E030AJTCL
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6619874Immagine RQ5E030AJTCL.LAPIS Semiconductor

RQ5E030AJTCL

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RQ5E030AJTCL
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.RQ5E030AJTCL.pdf
    2.RQ5E030AJTCL.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TSMT3
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    75 mOhm @ 3A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1W (Tc)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    SC-96
  • Altri nomi
    RQ5E030AJTCLDKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    240pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    2.1nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 3A (Ta) 1W (Tc) Surface Mount TSMT3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3A (Ta)

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Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Produttori: STMicroelectronics
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