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RRH100P03GZETB

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RRH100P03GZETB
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 30V 10A SOP8
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    RRH100P03GZETB.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SOP
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    12.6 mOhm @ 10A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    650mW (Ta)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    RRH100P03GZETBCT
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    3600pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    68nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 30V 10A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC

Produttori: LAPIS Semiconductor
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