RU1C002ZPTCL

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Specifiche

Modello di prodotti

RU1C002ZPTCL
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.RU1C002ZPTCL.pdf
2.RU1C002ZPTCL.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

1V @ 100µA
Vgs (Max)

±10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

UMT3F
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

150mW (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SC-85
Altri nomi

RU1C002ZPTCLTR
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

115pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

P-Channel 20V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount UMT3F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

200mA (Ta)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "RU1C002ZPTCL".

RU1608JR062CS

Descrizione: RES 62M OHM 5% 1/4W 0603

Produttori: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

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