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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > RU1C002UNTCL
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9289Immagine RU1C002UNTCL.LAPIS Semiconductor

RU1C002UNTCL

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RU1C002UNTCL
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 20V 0.2A UMT3F
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    UMT3F
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    150mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-85
  • Altri nomi
    RU1C002UNTCL-ND
    RU1C002UNTCLTR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    25pF @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 2.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 20V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount UMT3F
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    200mA (Ta)
RU1608JR068CS

RU1608JR068CS

Descrizione: RES 0.068 OHM 5% 1/4W 0603

Produttori: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
In magazzino
RU1C001ZPTL

RU1C001ZPTL

Descrizione: MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RU1E002SPTCL

RU1E002SPTCL

Descrizione: MOSFET P-CH 30V 0.25A UMT3F

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RU1608JR039CS

RU1608JR039CS

Descrizione: RES 39M OHM 5% 1/4W 0603

Produttori: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
In magazzino
RU1608JR043CS

RU1608JR043CS

Descrizione: RES 43M OHM 5% 1/4W 0603

Produttori: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
In magazzino
RU1608JR036CS

RU1608JR036CS

Descrizione: RES 36M OHM 5% 1/4W 0603

Produttori: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
In magazzino
RU1608JR033CS

RU1608JR033CS

Descrizione: RES 33M OHM 5% 1/4W 0603

Produttori: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
In magazzino
RU1608JR082CS

RU1608JR082CS

Descrizione: RES 82M OHM 5% 1/4W 0603

Produttori: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
In magazzino
RU1C002ZPTCL

RU1C002ZPTCL

Descrizione: MOSFET P-CH 20V 0.2A UMT3F

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RU1608JR100CS

RU1608JR100CS

Descrizione: RES 100M OHM 5% 1/4W 0603

Produttori: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
In magazzino
RU1608JR056CS

RU1608JR056CS

Descrizione: RES 56M OHM 5% 1/4W 0603

Produttori: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
In magazzino
RU1608JR062CS

RU1608JR062CS

Descrizione: RES 62M OHM 5% 1/4W 0603

Produttori: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
In magazzino
RU1608JR030CS

RU1608JR030CS

Descrizione: RES 30M OHM 5% 1/4W 0603

Produttori: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
In magazzino
RU1608JR047CS

RU1608JR047CS

Descrizione: RES 47M OHM 5% 1/4W 0603

Produttori: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
In magazzino
RU1608JR075CS

RU1608JR075CS

Descrizione: RES 75M OHM 5% 1/4W 0603

Produttori: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
In magazzino
RU1C001UNTCL

RU1C001UNTCL

Descrizione: MOSFET N-CH 20V 0.1A UMT3F

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RU1608JR051CS

RU1608JR051CS

Descrizione: RES 51M OHM 5% 1/4W 0603

Produttori: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
In magazzino
RU1J002YNTCL

RU1J002YNTCL

Descrizione: MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RU1608JR027CS

RU1608JR027CS

Descrizione: RES 27M OHM 5% 1/4W 0603

Produttori: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
In magazzino
RU1608JR091CS

RU1608JR091CS

Descrizione: RES 91M OHM 5% 1/4W 0603

Produttori: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
In magazzino

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