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3992878Immagine RU1E002SPTCL.LAPIS Semiconductor

RU1E002SPTCL

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RU1E002SPTCL
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 30V 0.25A UMT3F
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.RU1E002SPTCL.pdf
    2.RU1E002SPTCL.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    UMT3F
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.4 Ohm @ 250mA, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    200mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-85
  • Altri nomi
    RU1E002SPTCLTR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    30pF @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 30V 250mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3F
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    250mA (Ta)

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Pagamento
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Descrizione: RES 33M OHM 5% 1/4W 0603

Produttori: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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Descrizione: RES 47M OHM 5% 1/4W 0603

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Descrizione: RES 30M OHM 5% 1/4W 0603

Produttori: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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Descrizione: RES 56M OHM 5% 1/4W 0603

Produttori: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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Descrizione: RES 100M OHM 5% 1/4W 0603

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Descrizione: MOSFET N-CH 20V 0.1A UMT3F

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