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4059370Immagine RUF025N02FRATL.LAPIS Semiconductor

RUF025N02FRATL

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RUF025N02FRATL
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    NCH 20V 2.5A MIDDLE POWER MOSFET
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.RUF025N02FRATL.pdf
    2.RUF025N02FRATL.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.3V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TUMT3
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    54 mOhm @ 2.5A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    800mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    3-SMD, Flat Leads
  • Altri nomi
    RUF025N02FRATLTR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    370pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    5nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 20V 2.5A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2.5A (Ta)

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Produttori: IXYS Corporation
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RUF025N02TL

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Descrizione: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Produttori: STMicroelectronics
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