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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > 1N4448-TP
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Italia
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909608Immagine 1N4448-TP.Micro Commercial Components (MCC)

1N4448-TP

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    1N4448-TP
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1V @ 100mA
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    75V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-35
  • Velocità
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    4ns
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Altri nomi
    1N4448TP
    1N4448TPMSCT
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -50°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 75V 150mA Through Hole DO-35
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    5µA @ 75V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    150mA
  • Capacità a Vr, F
    -
  • Numero di parte base
    1N4448
1N4448,133

1N4448,133

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Produttori: Nexperia
In magazzino
1N4448HWT-7

1N4448HWT-7

Descrizione: DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
1N4448HWS-13-F

1N4448HWS-13-F

Descrizione: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
1N4448,143

1N4448,143

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttori: NXP Semiconductors / Freescale
In magazzino
1N4448HWS-7

1N4448HWS-7

Descrizione: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
1N4448HLP-7

1N4448HLP-7

Descrizione: DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
1N4448,113

1N4448,113

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Produttori: NXP Semiconductors / Freescale
In magazzino
1N4448TR

1N4448TR

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
1N4448TR

1N4448TR

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
1N4448W RHG

1N4448W RHG

Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123F

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
1N4448-A

1N4448-A

Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
1N4448

1N4448

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
1N4448TR_S00Z

1N4448TR_S00Z

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
1N4448HWS-7-F

1N4448HWS-7-F

Descrizione: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
1N4448-T

1N4448-T

Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
1N4448TAP

1N4448TAP

Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
1N4448 BK

1N4448 BK

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Produttori: Central Semiconductor
In magazzino
1N4448-T

1N4448-T

Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
1N4448 TR

1N4448 TR

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Produttori: Central Semiconductor Corp
In magazzino
1N4448 A0G

1N4448 A0G

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino

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