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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > 1N4448,113
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4316611Immagine 1N4448,113.NXP Semiconductors / Freescale

1N4448,113

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    1N4448,113
  • Costruttore / Marca
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1N4448,113.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1V @ 100mA
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    100V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    ALF2
  • Velocità
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    4ns
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Altri nomi
    1N4448 T/R
    568-1361-2
    933120350113
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    200°C (Max)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 100V 200mA (DC) Through Hole ALF2
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    25nA @ 20V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    200mA (DC)
  • Capacità a Vr, F
    4pF @ 0V, 1MHz
  • Numero di parte base
    1N4448

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Spedizione
Pagamento
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Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Produttori: Micro Commercial Components (MCC)
In magazzino
RFQ
1N4447TR

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Descrizione: DIODE GEN PURP 100V DO35

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
1N4448-T

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Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
1N4448-T

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Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
1N4448HWS-7

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Descrizione: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
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1N4446TR

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Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
1N4447

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Descrizione: DIODE GEN PURP 100V DO35

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
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1N4446_T50R

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Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
1N4448HLP-7

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Descrizione: DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
1N4448,133

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Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Produttori: Nexperia
In magazzino
RFQ
1N4448,143

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Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttori: NXP Semiconductors / Freescale
In magazzino
RFQ
1N4447

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Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
1N4448 TR

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Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Produttori: Central Semiconductor Corp
In magazzino
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1N4448-A

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Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
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1N4448HWS-13-F

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Descrizione: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Produttori: Diodes Incorporated
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1N4448

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Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
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1N4448HWS-7-F

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Descrizione: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
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1N4448 BK

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Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Produttori: Central Semiconductor
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1N4448 A0G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
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1N4448

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Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Produttori: Microsemi
In magazzino
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