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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > MT41K512M8V00HWC1-N002
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MT41K512M8V00HWC1-N002

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT41K512M8V00HWC1-N002
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 4G PARALLEL
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR3L
  • Serie
    -
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel
MT41K64M16TW-107 AAT:J TR

MT41K64M16TW-107 AAT:J TR

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K512M8RH-125 XIT:E TR

MT41K512M8RH-125 XIT:E TR

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K64M16TW-107 AIT:J

MT41K64M16TW-107 AIT:J

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K512M8RH-125 V:E TR

MT41K512M8RH-125 V:E TR

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K512M8RH-125:E

MT41K512M8RH-125:E

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K64M16TW-107 AAT:J

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K512M8RH-125 V:E

MT41K512M8RH-125 V:E

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K64M16TW-107 AIT:J TR

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K64M16JT-15E:G TR

MT41K64M16JT-15E:G TR

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K64M16JT-125:G

MT41K64M16JT-125:G

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K512M8V00HWC1

MT41K512M8V00HWC1

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K64M16JT-125:G TR

MT41K64M16JT-125:G TR

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K512M8THD-15E:D

MT41K512M8THD-15E:D

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K512M8V80AWC1

MT41K512M8V80AWC1

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K512M8RH-125:E TR

MT41K512M8RH-125:E TR

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K512M8RH-125 M:E TR

MT41K512M8RH-125 M:E TR

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K512M8V00HWC1-N001

MT41K512M8V00HWC1-N001

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K64M16JT-15E:G

MT41K64M16JT-15E:G

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K512M8RH-125 XIT:E

MT41K512M8RH-125 XIT:E

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT41K512M8V90BWC1

MT41K512M8V90BWC1

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL

Produttori: Micron Technology
In magazzino

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