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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > MT41K64M16JT-15E:G TR
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MT41K64M16JT-15E:G TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT41K64M16JT-15E:G TR
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR3L
  • Contenitore dispositivo fornitore
    96-FBGA (8x14)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    96-TFBGA
  • Altri nomi
    MT41K64M16JT-15E:G TR-ND
    MT41K64M16JT-15E:GTR
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    1Gb (64M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR3L Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 667MHz 13.5ns 96-FBGA (8x14)
  • Frequenza dell'orologio
    667MHz
  • Numero di parte base
    MT41K64M16
  • Tempo di accesso
    13.5ns
MT41K64M16TW-107 IT:J TR

MT41K64M16TW-107 IT:J TR

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K64M16TW-107 AAT:J

MT41K64M16TW-107 AAT:J

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K64M16TW-107 AIT:J TR

MT41K64M16TW-107 AIT:J TR

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K512M8V00HWC1-N002

MT41K512M8V00HWC1-N002

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K64M16TW-107 XIT:J

MT41K64M16TW-107 XIT:J

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K512M8RH-125:E TR

MT41K512M8RH-125:E TR

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K64M16TW-107 AAT:J TR

MT41K64M16TW-107 AAT:J TR

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K64M16TW-107 AUT:J TR

MT41K64M16TW-107 AUT:J TR

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K64M16TW-107 IT:J

MT41K64M16TW-107 IT:J

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K512M8THD-15E:D

MT41K512M8THD-15E:D

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K64M16TW-107 AUT:J

MT41K64M16TW-107 AUT:J

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 933MHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K512M8V90BWC1

MT41K512M8V90BWC1

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K64M16TW-107 XIT:J TR

MT41K64M16TW-107 XIT:J TR

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K512M8V00HWC1-N001

MT41K512M8V00HWC1-N001

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K64M16JT-125:G

MT41K64M16JT-125:G

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K64M16TW-107 AIT:J

MT41K64M16TW-107 AIT:J

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K64M16JT-125:G TR

MT41K64M16JT-125:G TR

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K64M16JT-15E:G

MT41K64M16JT-15E:G

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT41K512M8V00HWC1

MT41K512M8V00HWC1

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Produttori: Micron Technology
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MT41K512M8V80AWC1

MT41K512M8V80AWC1

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Produttori: Micron Technology
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