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MT47H512M4EB-25E:C

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT47H512M4EB-25E:C
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MT47H512M4EB-25E:C.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR2
  • Contenitore dispositivo fornitore
    60-FBGA (9x11.5)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    60-TFBGA
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    2Gb (512M x 4)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (9x11.5)
  • Frequenza dell'orologio
    400MHz
  • Numero di parte base
    MT47H512M4
  • Tempo di accesso
    400ps

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Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

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