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6839010Immagine MT47H32M8BP-37E:B TR.Micron Technology

MT47H32M8BP-37E:B TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT47H32M8BP-37E:B TR
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MT47H32M8BP-37E:B TR.pdf
  • Modello ECAD
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR2
  • Contenitore dispositivo fornitore
    60-FBGA (8x12)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    60-FBGA
  • Altri nomi
    557-1049-1
    MT47H32M8BP-37E:B
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    256Mb (32M x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR2 Memory IC 256Mb (32M x 8) Parallel 267MHz 500ps 60-FBGA (8x12)
  • Frequenza dell'orologio
    267MHz
  • Numero di parte base
    MT47H32M8B
  • Tempo di accesso
    500ps

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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H32M8BP-5E:B TR

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H512M4EB-187E:C

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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
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MT47H32M16NF-25E AIT:H

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
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MT47H32M16NF-25E:H

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttori: Micron Technology
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RFQ
MT47H512M4EB-25E:C

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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H32M16NF-25E IT:H

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H32M16NF-25E AAT:H

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H32M8BP-5E:B

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H32M16NF-25E AUT:H TR

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H32M16NF-25E IT:H TR

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H32M8BP-37V:B

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H32M8BP-3:B TR

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H32M16NF-187E:H TR

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT47H512M4EB-25E:C TR

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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

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MT47H32M16NF-25E AUT:H

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

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MT47H32M16U67A3WC1

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL WAFER

Produttori: Micron Technology
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MT47H32M16NF-187E:H

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

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