Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > MT47H512M4THN-25E:M
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
2248778

MT47H512M4THN-25E:M

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
1518+
$23.25
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT47H512M4THN-25E:M
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MT47H512M4THN-25E:M.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR2
  • Serie
    -
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    2Gb (512M x 4)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 400MHz 400ps
  • Frequenza dell'orologio
    400MHz
  • Tempo di accesso
    400ps

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

La Corea del Sud prevede di emanare il Chip Act per contras...

13/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "MT47H512M4THN-25E:M".
MT47H512M4THN-25E:H

MT47H512M4THN-25E:H

Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT47H64M16B7-37E:A

MT47H64M16B7-37E:A

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT47H32M8BP-5E:B

MT47H32M8BP-5E:B

Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT47H512M4THN-3:E TR

MT47H512M4THN-3:E TR

Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT47H512M8WTR-25E:C TR

MT47H512M8WTR-25E:C TR

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT47H512M8WTR-3:C

MT47H512M8WTR-3:C

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT47H512M4EB-25E:C TR

MT47H512M4EB-25E:C TR

Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT47H512M4THN-37E:E TR

MT47H512M4THN-37E:E TR

Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT47H512M4EB-25E:C

MT47H512M4EB-25E:C

Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT47H64M16B7-5E:A

MT47H64M16B7-5E:A

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT47H512M4THN-3:H

MT47H512M4THN-3:H

Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT47H64M16B7-37E:A TR

MT47H64M16B7-37E:A TR

Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT47H32M8BP-3:B TR

MT47H32M8BP-3:B TR

Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT47H512M8WTR-25E:C

MT47H512M8WTR-25E:C

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT47H32M8BP-5E:B TR

MT47H32M8BP-5E:B TR

Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT47H32M8BP-37V:B

MT47H32M8BP-37V:B

Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT47H512M4EB-187E:C

MT47H512M4EB-187E:C

Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT47H512M4EB-3:C

MT47H512M4EB-3:C

Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT47H512M4THN-25E:M TR

MT47H512M4THN-25E:M TR

Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT47H32M8BP-37E:B TR

MT47H32M8BP-37E:B TR

Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.