1N4446

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Specifiche

Modello di prodotti

1N4446
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

1N4446.pdf
Modello ECAD
Tensione - diretta (Vf) (max) a If

1V @ 20mA
Tensione - inversa (Vr) (max)

75V
Contenitore dispositivo fornitore

DO-35
Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie

-
Tempo di ripristino inverso (trr)

4ns
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

DO-204AH, DO-35, Axial
Altri nomi

1N4446MS
Temperatura di funzionamento - Giunzione

-65°C ~ 150°C
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

6 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo diodo

Standard
Descrizione dettagliata

Diode Standard 75V 200mA Through Hole DO-35
Corrente - Dispersione inversa a Vr

25nA @ 20V
Corrente - raddrizzata media (Io)

200mA
Capacità a Vr, F

-

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "1N4446".

1N4446 TR

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Produttori: Central Semiconductor

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