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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > 1N4446
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Italia
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3745824Immagine 1N4446.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N4446

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    1N4446
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Modello ECAD
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1V @ 20mA
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    100V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-35
  • Velocità
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    4ns
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    175°C (Max)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 100V 200mA Through Hole DO-35
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    25nA @ 20V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    200mA
  • Capacità a Vr, F
    4pF @ 0V, 1MHz
  • Numero di parte base
    1N4446
1N4384GP-E3/54

1N4384GP-E3/54

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Produttori: Vishay Semiconductor Diodes Division
In magazzino
1N4446_T50R

1N4446_T50R

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
1N4436

1N4436

Descrizione: SINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER

Produttori: Microsemi
In magazzino
1N4444-1

1N4444-1

Descrizione: DIODE SWITCHING

Produttori: Microsemi
In magazzino
1N4447

1N4447

Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Produttori: Microsemi
In magazzino
1N4384GPHE3/54

1N4384GPHE3/54

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
1N4448

1N4448

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
1N4385GP-E3/54

1N4385GP-E3/54

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
1N4446TR

1N4446TR

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
1N4385GPHE3/54

1N4385GPHE3/54

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
1N4446 TR

1N4446 TR

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Produttori: Central Semiconductor
In magazzino
1N4384GP-E3/73

1N4384GP-E3/73

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Produttori: Vishay Semiconductor Diodes Division
In magazzino
1N4447

1N4447

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V DO35

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
1N4383GPHE3/54

1N4383GPHE3/54

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
1N4384GPHE3/73

1N4384GPHE3/73

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
1N4447TR

1N4447TR

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V DO35

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
1N4446

1N4446

Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Produttori: Microsemi
In magazzino
1N4446 BK

1N4446 BK

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Produttori: Central Semiconductor
In magazzino
1N4448

1N4448

Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Produttori: Microsemi
In magazzino
1N4437_FT

1N4437_FT

Descrizione: BRIDGE RECT 1PHASE 400V TO3

Produttori: Microsemi
In magazzino

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