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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > 1N4447
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Italia
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3391033Immagine 1N4447.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N4447

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    1N4447
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 100V DO35
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    100V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-35
  • Velocità
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    175°C (Max)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    2 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 100V Through Hole DO-35
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    -
  • Capacità a Vr, F
    -
  • Numero di parte base
    1N4447
1N4446 TR

1N4446 TR

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Produttori: Central Semiconductor
In magazzino
1N4444-1

1N4444-1

Descrizione: DIODE SWITCHING

Produttori: Microsemi
In magazzino
1N4448,113

1N4448,113

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Produttori: NXP Semiconductors / Freescale
In magazzino
1N4448 TR

1N4448 TR

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Produttori: Central Semiconductor Corp
In magazzino
1N4446_T50R

1N4446_T50R

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
1N4446

1N4446

Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Produttori: Microsemi
In magazzino
1N4446TR

1N4446TR

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
1N4446

1N4446

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
1N4437_FT

1N4437_FT

Descrizione: BRIDGE RECT 1PHASE 400V TO3

Produttori: Microsemi
In magazzino
1N4447

1N4447

Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Produttori: Microsemi
In magazzino
1N4448,143

1N4448,143

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttori: NXP Semiconductors / Freescale
In magazzino
1N4436

1N4436

Descrizione: SINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER

Produttori: Microsemi
In magazzino
1N4448 BK

1N4448 BK

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Produttori: Central Semiconductor
In magazzino
1N4448,133

1N4448,133

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Produttori: Nexperia
In magazzino
1N4448 A0G

1N4448 A0G

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
1N4448

1N4448

Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Produttori: Microsemi
In magazzino
1N4448-A

1N4448-A

Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
1N4447TR

1N4447TR

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V DO35

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
1N4448

1N4448

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
1N4446 BK

1N4446 BK

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Produttori: Central Semiconductor
In magazzino

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