Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > APT100MC120JCU2
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
3763826Immagine APT100MC120JCU2.Microsemi

APT100MC120JCU2

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
1+
$241.30
10+
$229.65
25+
$221.329
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT100MC120JCU2
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    APT100MC120JCU2.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.3V @ 2mA
  • Vgs (Max)
    +25V, -10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-227
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    17 mOhm @ 100A, 20V
  • Dissipazione di potenza (max)
    600W (Tc)
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    32 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    5960pF @ 1000V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    360nC @ 20V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1200V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 1200V 143A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    143A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13/01/2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31/12/2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23/12/2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12/12/2024

Il microchip annuncia 500 licenziamenti, con costi di ristr...

04/12/2024

Quanta: la domanda di intelligenza artificiale continua ad ...

03/12/2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02/12/2024

Samsung riduce in modo significativo l'utilizzo fotores...

02/12/2024

Vishay investirà £ 51 milioni nel wafer NWF acquisito Fab

29/11/2024

Minaccia tariffaria di Trump, Nvidia, fornitori di Intel RI...

28/11/2024

Intel riceverà $ 7,86 miliardi di sussidi ai sensi della U...

27/11/2024

AMD lancia la costruzione della seconda fase del Bangalore ...

26/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "APT100MC120JCU2".
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Descrizione: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Descrizione: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT100M50J

APT100M50J

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

Descrizione: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT100S20BG

APT100S20BG

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Descrizione: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Descrizione: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Descrizione: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Descrizione: IGBT 600V 229A 625W TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Descrizione: IGBT 600V 183A 780W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Descrizione: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Descrizione: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Descrizione: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Descrizione: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT102GA60L

APT102GA60L

Descrizione: IGBT 600V 183A 780W TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.