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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > APT100S20BG
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5337532Immagine APT100S20BG.Microsemi

APT100S20BG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT100S20BG
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    950mV @ 100A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    200V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247 [B]
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    70ns
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-2
  • Altri nomi
    APT100S20BGMI
    APT100S20BGMI-ND
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    26 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Schottky
  • Descrizione dettagliata
    Diode Schottky 200V 120A Through Hole TO-247 [B]
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    2mA @ 200V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    120A
  • Capacità a Vr, F
    -
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Descrizione: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Descrizione: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Descrizione: IGBT 600V 229A 625W TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Descrizione: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Descrizione: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Descrizione: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Descrizione: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Descrizione: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100M50J

APT100M50J

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Descrizione: IGBT 600V 183A 780W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT102GA60L

APT102GA60L

Descrizione: IGBT 600V 183A 780W TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Descrizione: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Descrizione: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Produttori: Microsemi
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