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30402Immagine APT10SCD120B.Microsemi

APT10SCD120B

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT10SCD120B
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.8V @ 10A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    1200V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247
  • Velocità
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    0ns
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-2
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Silicon Carbide Schottky
  • Descrizione dettagliata
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 36A (DC) Through Hole TO-247
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    200µA @ 1200V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    36A (DC)
  • Capacità a Vr, F
    600pF @ 0V, 1MHz
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Descrizione: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Descrizione: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT11F80S

APT11F80S

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Descrizione: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Descrizione: IGBT 600V 183A 780W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT102GA60L

APT102GA60L

Descrizione: IGBT 600V 183A 780W TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Descrizione: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT11F80B

APT11F80B

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Descrizione: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Descrizione: IGBT 600V 41A 187W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino

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