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1658105Immagine APT11GP60BDQBG.Microsemi

APT11GP60BDQBG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT11GP60BDQBG
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 600V 41A 187W TO247
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    APT11GP60BDQBG.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    600V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.7V @ 15V, 11A
  • Condizione di test
    400V, 11A, 5 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    7ns/29ns
  • di scambio energetico
    46µJ (on), 90µJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247-3
  • Serie
    POWER MOS 7®
  • Potenza - Max
    187W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    PT
  • carica gate
    40nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT PT 600V 41A 187W Through Hole TO-247-3
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    45A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    41A

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Produttori: Microsemi
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Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

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Produttori: Microsemi
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Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264

Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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Descrizione: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Produttori: Microsemi
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Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

Produttori: Microsemi
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Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227

Produttori: Microsemi
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Descrizione: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Produttori: Microsemi
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Descrizione: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Produttori: Microsemi
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