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APT10SCD65KCT

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT10SCD65KCT
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE SILICON 650V 17A TO220
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    APT10SCD65KCT.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.8V @ 10A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    650V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220
  • Velocità
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    0ns
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Silicon Carbide Schottky
  • Configurazione diodo
    1 Pair Common Cathode
  • Descrizione dettagliata
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220-3
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    200µA @ 650V
  • Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)
    17A

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