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APT12067B2LLG

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Specifiche

Modello di prodotti

APT12067B2LLG
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

APT12067B2LLG.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

T-MAX™ [B2]
Serie

POWER MOS 7®
Rds On (max) a Id, Vgs

670 mOhm @ 9A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

565W (Tc)
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

TO-247-3 Variant
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4420pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

1200V
Descrizione dettagliata

N-Channel 1200V 18A (Tc) 565W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

Notizie correlate
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APT1201R4BFLLG

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

Produttori: Microsemi

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