Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > APT1201R4BFLLG
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
6742798Immagine APT1201R4BFLLG.Microsemi

APT1201R4BFLLG

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
30+
$22.015
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT1201R4BFLLG
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.APT1201R4BFLLG.pdf
    2.APT1201R4BFLLG.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247 [B]
  • Serie
    POWER MOS 7®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.5 Ohm @ 4.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    300W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    28 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2030pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    75nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1200V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 1200V 9A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    9A (Tc)

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

La Corea del Sud prevede di emanare il Chip Act per contras...

13/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "APT1201R4BFLLG".
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT12067JLL

APT12067JLL

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT12057JLL

APT12057JLL

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT1204R7KFLLG

APT1204R7KFLLG

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT12031JFLL

APT12031JFLL

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Descrizione: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT12057B2FLLG

APT12057B2FLLG

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
RFQ
APT12067B2FLLG

APT12067B2FLLG

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
RFQ
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Descrizione: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Descrizione: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT12067B2LLG

APT12067B2LLG

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Descrizione: IGBT 600V 41A 187W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT12057B2LLG

APT12057B2LLG

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT12057LFLLG

APT12057LFLLG

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Descrizione: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT1204R7BFLLG

APT1204R7BFLLG

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.