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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > APT12067B2FLLG
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6857674Immagine APT12067B2FLLG.Microsemi Corporation

APT12067B2FLLG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT12067B2FLLG
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    APT12067B2FLLG.pdf
  • Tensione - Prova
    4420pF @ 25V
  • Tensione - Ripartizione
    T-MAX™ [B2]
  • Vgs (th) (max) a Id
    670 mOhm @ 9A, 10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    POWER MOS 7®
  • Stato RoHS
    Tube
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    18A (Tc)
  • Polarizzazione
    TO-247-3 Variant
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • codice articolo del costruttore
    APT12067B2FLLG
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    150nC @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    5V @ 2.5mA
  • Caratteristica FET
    N-Channel
  • Descrizione espansione
    N-Channel 1200V (1.2kV) 18A (Tc) 565W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Tensione drain-source (Vdss)
    -
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1200V (1.2kV)
  • rapporto di capacità
    565W (Tc)

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Produttori: Microsemi
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