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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > APT14M100S
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4066757Immagine APT14M100S.Microsemi

APT14M100S

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT14M100S
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D3Pak
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    880 mOhm @ 7A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    500W (Tc)
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    3965pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    120nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1000V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 1000V 14A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount D3Pak
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    14A (Tc)
APT13GP120BDQ1G

APT13GP120BDQ1G

Descrizione: IGBT 1200V 41A 250W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT150GN60B2G

APT150GN60B2G

Descrizione: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT14M100B

APT14M100B

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT150GN120JDQ4

APT150GN120JDQ4

Descrizione: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT150GN60LDQ4G

APT150GN60LDQ4G

Descrizione: IGBT 600V 220A 536W TO-264L

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT150GN60JDQ4

APT150GN60JDQ4

Descrizione: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT14M120B

APT14M120B

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT13F120S

APT13F120S

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT13GP120BG

APT13GP120BG

Descrizione: IGBT 1200V 41A 250W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT15D100BG

APT15D100BG

Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT150GN120J

APT150GN120J

Descrizione: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT150GN60J

APT150GN60J

Descrizione: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT150GT120JR

APT150GT120JR

Descrizione: IGBT 1200V 170A 830W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT14F100S

APT14F100S

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT14050JVFR

APT14050JVFR

Descrizione: MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT13F120B

APT13F120B

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 14A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT13GP120KG

APT13GP120KG

Descrizione: IGBT 1200V 41A 250W TO220

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT15D100BCTG

APT15D100BCTG

Descrizione: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT14F100B

APT14F100B

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT130SM70J

APT130SM70J

Descrizione: MOSFET N-CH 700V SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino

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