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Italia
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2552781Immagine APT150GN60LDQ4G.Microsemi

APT150GN60LDQ4G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT150GN60LDQ4G
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 600V 220A 536W TO-264L
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    600V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    1.85V @ 15V, 150A
  • Condizione di test
    400V, 150A, 1 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    44ns/430ns
  • di scambio energetico
    8.81mJ (on), 4.295mJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-264 [L]
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    536W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-264-3, TO-264AA
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    32 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    Trench Field Stop
  • carica gate
    970nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Trench Field Stop 600V 220A 536W Through Hole TO-264 [L]
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    450A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    220A
APT150GN120J

APT150GN120J

Descrizione: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT150GN60JDQ4

APT150GN60JDQ4

Descrizione: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT15D100BHBG

APT15D100BHBG

Descrizione: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT14F100S

APT14F100S

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT150GN60J

APT150GN60J

Descrizione: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT15D30KG

APT15D30KG

Descrizione: DIODE GEN PURP 300V 15A TO220-2

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
APT15D100BCTG

APT15D100BCTG

Descrizione: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT15D120BG

APT15D120BG

Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
APT150GN60B2G

APT150GN60B2G

Descrizione: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT150GT120JR

APT150GT120JR

Descrizione: IGBT 1200V 170A 830W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT14F100B

APT14F100B

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT14M100B

APT14M100B

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT15D100KG

APT15D100KG

Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT14M100S

APT14M100S

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT15D120BCTG

APT15D120BCTG

Descrizione: DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT14M120B

APT14M120B

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT15D120KG

APT15D120KG

Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT15D40BCTG

APT15D40BCTG

Descrizione: DIODE ARRAY GP 400V 15A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT15D100BG

APT15D100BG

Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT150GN120JDQ4

APT150GN120JDQ4

Descrizione: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino

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