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2564450Immagine APT150GN60J.Microsemi

APT150GN60J

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT150GN60J
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 600V 220A 536W SOT227
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.APT150GN60J.pdf
    2.APT150GN60J.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    600V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    1.85V @ 15V, 150A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    ISOTOP®
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    536W
  • Contenitore / involucro
    ISOTOP
  • Altri nomi
    APT150GN60JMI
    APT150GN60JMI-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Termistore NTC
    No
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    18 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
    9.2nF @ 25V
  • Ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    Trench Field Stop
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 220A 536W Chassis Mount ISOTOP®
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    25µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    220A
  • Configurazione
    Single

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Pagamento
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Produttori: Microsemi
In magazzino
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Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
RFQ
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Descrizione: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
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Produttori: Microsemi
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Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220

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Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Produttori: Microsemi
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Descrizione: IGBT 600V 220A 536W SOT227

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Descrizione: MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227

Produttori: Microsemi
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Descrizione: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
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Descrizione: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

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